
DWDM 入射角0度 λ=400-540nm Tave <1% λ=560-650nm Tave <2% λ=548-552nm Tave >95% 中心波長 T=50%點 λ=548±3nm λ=552±3nm
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UV-IR 入射角0度 λ=350-400nm Tave <1% λ=445-500nm Tave >92% T10%-90% 斜率小于25nm λ=615-680nm Tmin>94% λ=730-900nm Tave <3% T10%-90% 斜率小于35nm 中心波長T=50% λ=413±5nm λ=710±12nm
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MIRROR 波長范圍 入射角 400nm-700nm 55度 R絕對>94% R平均>98% 400nm-700nm 60度 R絕對>94% R平均>98% 400nm-700nm 70度 R絕對>94% R平均>97%
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BBAR 入射角0度 λ=400-750nm R(平均)<0.3% λ=400-750nm R(最大)<0.5%
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漸變濾光片
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寬角度 IR-CUT 入射角0度 λ=421-430nm T>80% λ=431-710nm T>85% λ=761-1000nm T<3% λ=1001-1050nm T<6% λ=1051-1080nm T<10% 中心波長T=50% λ=730±10nm
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UV 濾光片 入射角0度 λ=300-385nm Tave <0.25% λ=405nm Tmin <10% 中心波長 T=50%點 λ=413±5nm λ=428+0/-10nm Tmin>96% λ=438+0/-10nm Tmin>98% λ=443-683nm Tmin >97% λ=423-700nm Tave >98%
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 限波濾光片 入射角0度 λ=350-390nm Tave <1% λ=425-475nm Tave >93% T10%-90% 斜率小于25nm 50%<488-495nm<70% λ=530-565nm Tmin>93% 30%<585-593nm<50% λ=625-695nm Tave >94% T10%-90% 斜率小于35nm 中心波長T=50% λ=410±5nm λ=708±12nm
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 分光片 入射角45度 λ=400-700nm R:T =5:5
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 三通濾光片 入射角0度 λ=386-405nm Tave <1.5% λ=424-430nm Tave >93% T10%-90% 斜率小于25nm λ=450-470nm Tave <1% λ=498-510nm Tmin>93% λ=545-560nm Tave <1.5% λ=590-615nm Tave >94% T10%-90% 斜率小于35nm 中心波長T=50% λ=415±5nm λ=623±9nm
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SHINCRON磁控濺射鍍膜機 ·連續生產中(20罩以上)分光曲線飄移量在2nm之內。 ·膜層環境耐受性是一般離子源鍍膜機的3倍。 ·特殊的膜層控制工藝可以安定的實現8nm薄層鍍膜。 ·可以安定的實現中間折射率的加工。 ·表面硬度 9H。 ·膜層致密度是一般的兩倍。
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·SHINCRON離子輔助鍍膜機 ·第四代光控(opm1)+晶控式的高精度控制 ·第五代高能量射頻離子源 ·270度日本電子槍
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